FJL6920T7TL. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FJL6920T7TL
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8
Корпус транзистора: TO3PL
Аналоги (замена) для FJL6920T7TL
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
FJL6920T7TL даташит
fjl6920t7tl.pdf
FJL6920T7TL Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION High Switching Speed High Breakdown Voltage- V = 1700V(Min) (BR)CBO APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1700 V CBO V Collector-Emitter Voltage 800 V CEO V Emitter-Base Voltage 6 V EBO I Collector
fjl6920.pdf
FJL6920 High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output High Collector-Base Breakdown Voltage BVCBO = 1700V Low Saturation Voltage VCE(sat) = 3V (Max.) For Color Monitor 1 TO-264 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Rating Units VCBO Collector-Bas
fjl6920.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
fjl6920.pdf
SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor FJL6920 DESCRIPTION High Switching Speed High Breakdown Voltage- V = 1700V(Min) (BR)CBO APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1700 V CBO V Collector-Emitter Voltage 800 V CEO V Emitter-Ba
Другие транзисторы: 2SC5198T7TL, 2SC5200T7TL, 2SC5570T7TL, BU406DT9TL, BU406T1TL, BU508AT4TL, BU941PT4TL, BU941TT1TL, 2SD1047, MJW0281AT4TL, MJW0302AT4TL, MJW3281AT4TL, NJW0281GT4TL, NJW0302GT4TL, NJW1302GT4TL, NJW3281GT4TL, TIP35CT4TL
History: MJW0281AT4TL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor




