MMDT2907AQ. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MMDT2907AQ
Маркировка: M7Q
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8(max) pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT363
Аналоги (замена) для MMDT2907AQ
MMDT2907AQ даташит
mmdt2907aq.pdf
MMDT2907AQ DUAL PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR 150 mW 60 Volt POWER VOLTAGE FEATURES PNP epitaxial silicon, planar design Collector-emitter voltage VCE = -60V Collector current IC = -600mA Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free) MECHANICAL DATA Case SOT-363 Termin
mmdt2907a.pdf
MMDT2907A 60V DUAL PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT363 Features Mechanical Data Ultra-Small Surface Mount Package Case SOT363 Epitaxial Planar Die Construction Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. Ideal for Low Power Amplification and Switching UL Flammability Classification Rating 94V-0 Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Not
mmdt2907a.pdf
MMDT2907A PNP Silicon Elektronische Bauelemente Multi-Chip Transistor RoHS Compliant Product SOT-363 A suffix of "-C" specifies halogen-free * Features o .055(1.40) 8 .047(1.20) 0o .026TYP (0.65TYP) .021REF Power dissipation (0.525)REF O PCM 0.15 W (Tamp.= 25 C) .053(1.35) .096(2.45) .045(1.15) .085(2.15) Collector current .018(0.46) ICM -0.6 A .010(0.26) .014
mmdt2907a.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors J C T MMDT2907A DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) SOT-363 FEATURE Complementary NPN Type available MMDT2222A MARKING K2F MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO Emitter-Bas
Другие транзисторы... BCX56-16-AU , MMBT2907A-AU , MMBT3904FN3 , MMBTA05-AU , MMBTA06-AU , MMBTA55-AU , MMBTA56-AU , MMBTA92-AU , 431 , 2SA1013SQ-O , 2SA1013SQ-Y , 2SA1013SQ-R , 2SA1213SQ-O , 2SA1213SQ-Y , 2SB1132SQ-P , 2SB1132SQ-Q , 2SB1132SQ-R .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent








