2SA1213SQ-O. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1213SQ-O

Маркировка: NX

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SA1213SQ-O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1213SQ-O даташит

 ..1. Size:1369K  pjsemi
2sa1213sq-o 2sa1213sq-y.pdfpdf_icon

2SA1213SQ-O

2SA1213SQ PNP Transistor Features SOT-89 Low Saturation Voltage High Speed Switching Time As Complementary Type of the NPN Transistor 2SC2873SQ is Recommended. Equivalent Circuit 1.Base 2.Collector 3. Emitter 2.Collector Marking Code 2SA1213SQ-O NX 2SA1213SQ-Y NY 1.Base 3. Emitter . Absolute Maximum Ratings Ratings at 25 ambient temperature unless oth

 7.1. Size:195K  toshiba
2sa1213o 2sa1213y.pdfpdf_icon

2SA1213SQ-O

2SA1213 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1213 Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low saturation voltage VCE (sat) = -0.5 V (max) (IC = -1 A) High speed switching time tstg = 1.0 s (typ.) Small flat package PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate) Complementary to 2SC2873 Absolut

 7.2. Size:223K  toshiba
2sa1213.pdfpdf_icon

2SA1213SQ-O

2SA1213 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1213 Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low saturation voltage VCE (sat) = -0.5 V (max) (I C = -1 A) High speed switching time t = 1.0 s (typ.) stg Small flat package PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on ceramic substrate) Complementary to 2SC2873 Max

 7.3. Size:999K  mcc
2sa1213-o 2sa1213-y.pdfpdf_icon

2SA1213SQ-O

2SA1213-O/2SA1213-Y Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified Parameter Symbol Min Typ Max Units Conditions V(BR)CBO -50 IC=-100 A, IE=0 Collector-Base Breakdown Voltage V V(BR)CEO -50 IC=-10mA, IB=0 Collector-Emitter Breakdown Voltag V V(BR)EBO -5 IE=-100 A, IC=0 Emitter-Base Breakdown Voltage V ICBO VCB=-50V, IE=0 Collector-Base Cutoff Current -0.1 A IEB

Другие транзисторы: MMBTA06-AU, MMBTA55-AU, MMBTA56-AU, MMBTA92-AU, MMDT2907AQ, 2SA1013SQ-O, 2SA1013SQ-Y, 2SA1013SQ-R, D882P, 2SA1213SQ-Y, 2SB1132SQ-P, 2SB1132SQ-Q, 2SB1132SQ-R, 2SB1188SQ-P, 2SB1188SQ-Q, 2SB1188SQ-R, 2SB772SQ-E