BCX53SQ-10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCX53SQ-10

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 145 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 63

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для BCX53SQ-10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCX53SQ-10 даташит

 ..1. Size:447K  pjsemi
bcx53sq-10 bcx53sq-16.pdfpdf_icon

BCX53SQ-10

BCX53SQ PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Features SOT-89 For AF driver and output stages High collector current Low collector-emitter saturation voltage Absolute Maximum Ratings (Ta=25 unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Units Collector Base Voltage VCBO -100 V Collector Emitter Voltage VCEO -80 V Emitter Base Voltage VEBO -5 V Collector Current I

 9.1. Size:136K  philips
bc640 bcp53 bcx53.pdfpdf_icon

BCX53SQ-10

BC640; BCP53; BCX53 80 V, 1 A PNP medium power transistors Rev. 08 22 February 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP medium power transistor series. Table 1. Product overview Type number[1] Package NPN complement NXP JEITA JEDEC BC640[2] SOT54 SC-43A TO-92 BC639 BCP53 SOT223 SC-73 - BCP56 BCX53 SOT89 SC-62 TO-243 BCX56 [1] Valid for all available

 9.2. Size:48K  philips
bcx51 bcx52 bcx53 3.pdfpdf_icon

BCX53SQ-10

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D109 BCX51; BCX52; BCX53 PNP medium power transistors 1999 Apr 19 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 04 Philips Semiconductors Product specification PNP medium power transistors BCX51; BCX52; BCX53 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V). 1 emitter 2 collector AP

 9.3. Size:233K  nxp
bcx53t.pdfpdf_icon

BCX53SQ-10

BCX53T series 80 V, 1 A PNP power bipolar transistors Rev. 1 22 August 2019 Product data sheet 1. Product profile 1.1. General description PNP power transistors in a medium power SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package NPN complement Nexperia JEDEC BCX53T SOT89 SC-62 BCX56T BCX53-10T BCX56-10T BCX53-16T BCX56-16T

Другие транзисторы: 2SC2873SQ-Y, 2SD882SQ-E, 2SD882SQ-P, 2SD882SQ-Q, 2SD882SQ-R, 2SD965ASQ-Q, 2SD965ASQ-R, 2SD965ASQ-S, TIP41, BCX53SQ-16, MMBT8050-C, MMBT8050C-1.5A, MMBT8050-D, MMBT8050D-1.5A, MMBT8550-C, MMBT8550-D, MMBT9012G