Справочник транзисторов. MMBTSC1623-L6

 

Биполярный транзистор MMBTSC1623-L6 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBTSC1623-L6
   Маркировка: L6
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250(typ) MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для MMBTSC1623-L6

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTSC1623-L6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:731K  pjsemi
mmbtsc1623-l4 mmbtsc1623-l5 mmbtsc1623-l6 mmbtsc1623-l7.pdfpdf_icon

MMBTSC1623-L6

MMBTSC1623 NPN Transistor Features SOT-23 High DC Current gain. High voltage1.Base 2.Emitter 3.CollectorMarking Code: L4: L4. L5: L5. L6: L6. L7: L7. Absolute Maximum Ratings Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified. Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage V 60 V CBOCollector Emitter Voltage V 50 V CEOEmitter Base V

 4.1. Size:206K  semtech
mmbtsc1623o mmbtsc1623y mmbtsc1623g mmbtsc1623l.pdfpdf_icon

MMBTSC1623-L6

MMBTSC1623 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications The transistor is subdivided into four groups, O, Y, G and L, according to its DC current gain SOT-23 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 60 VCollector Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEBO 5 V

 7.1. Size:141K  semtech
mmbtsc1815o mmbtsc1815y mmbtsc1815g mmbtsc1815l.pdfpdf_icon

MMBTSC1623-L6

MMBTSC1815 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into four groups O, Y, G and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor MMBTSA1015 is recommended. TO-236 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO

 8.1. Size:282K  semtech
mmbtsc4098w.pdfpdf_icon

MMBTSC1623-L6

MMBTSC4098W NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for AM/FM amplifier and local oscillator of FM/VHF tuner applications. OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 50 mA Power Dissipation Ptot 200 mWOJunction Temperature Tj 150 C

Другие транзисторы... MMBT9012H , MMBT9013-G , MMBT9013-H , MMBT9015-B , MMBT9015-C , MMBT9015-D , MMBTSC1623-L4 , MMBTSC1623-L5 , 2SD1047 , MMBTSC1623-L7 , MMBTSC3875-G , MMBTSC3875-L , MMBTSC3875-O , MMBTSC3875-Y , MMBTSC945-H , MMBTSC945-L , MMDT2907ASG .

History: RT1P234M | 2SD2284 | OC305 | TPC6902 | 2SC3712

 

 
Back to Top

 


 
.