MMDT2907ASG - описание и поиск аналогов

 

MMDT2907ASG - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMDT2907ASG
   Маркировка: 2907A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8(max) pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23-6

 Аналоги (замена) для MMDT2907ASG

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMDT2907ASG - технические параметры

 ..1. Size:1403K  pjsemi
mmdt2907asg.pdfpdf_icon

MMDT2907ASG

MMDT2907ASG Double PNP Transistors Features SOT-23-6 For switching and amplifier applications 4.C2 5.E1 3.B2 6.C1 2.E2 Equivalent Circuit 1.B1 Marking Code 2907A Absolute Maximum Ratings Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified. Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V 60 V CBO Collector Emitter Voltage -V 60 V CEO Emitter Base Vol

 5.1. Size:254K  diodes
mmdt2907a.pdfpdf_icon

MMDT2907ASG

MMDT2907A 60V DUAL PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT363 Features Mechanical Data Ultra-Small Surface Mount Package Case SOT363 Epitaxial Planar Die Construction Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. Ideal for Low Power Amplification and Switching UL Flammability Classification Rating 94V-0 Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Not

 5.2. Size:2090K  secos
mmdt2907a.pdfpdf_icon

MMDT2907ASG

MMDT2907A PNP Silicon Elektronische Bauelemente Multi-Chip Transistor RoHS Compliant Product SOT-363 A suffix of "-C" specifies halogen-free * Features o .055(1.40) 8 .047(1.20) 0o .026TYP (0.65TYP) .021REF Power dissipation (0.525)REF O PCM 0.15 W (Tamp.= 25 C) .053(1.35) .096(2.45) .045(1.15) .085(2.15) Collector current .018(0.46) ICM -0.6 A .010(0.26) .014

 5.3. Size:1813K  jiangsu
mmdt2907a.pdfpdf_icon

MMDT2907ASG

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors J C T MMDT2907A DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) SOT-363 FEATURE Complementary NPN Type available MMDT2222A MARKING K2F MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO Emitter-Bas

Другие транзисторы... MMBTSC1623-L6 , MMBTSC1623-L7 , MMBTSC3875-G , MMBTSC3875-L , MMBTSC3875-O , MMBTSC3875-Y , MMBTSC945-H , MMBTSC945-L , S8550 , MMDT3904SG , MMDT3906SG , MMBT3904H , MMBT3906H , 2SA1163BL , 2SA1163GR , 2SA1213O , 2SA1213Y .

 

 
Back to Top

 


 
.