Биполярный транзистор 2SA1265NR - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1265NR
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 480 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO218
Аналоги (замена) для 2SA1265NR
2SA1265NR Datasheet (PDF)
2sa1265n.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1265N DESCRIPTION With TO-3P(I) package Complement to type 2SC3182 2SA1265 with short pin APPLICATIONS Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SY
2sa1265n.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1265NDESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -2.0V(Min) @I = -7ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC3182NMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 70W high fidelity audio frequencyamplifier output stage a
2sa1265.pdf
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
2sa1265r 2sa1265o.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SA1265DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -2.0V(Min) @I = -7ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC3182APPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 70W high fidelity audio frequencyamplifier output stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB
2sa1265.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1265DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -2.0V(Min) @I = -7ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC3182Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 70W high fidelity audio frequencyamplifier output stage app
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050