Справочник транзисторов. 2SC6026MFV-Y

 

Биполярный транзистор 2SC6026MFV-Y Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC6026MFV-Y
   Маркировка: HY
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.95 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: VESM
 

 Аналог (замена) для 2SC6026MFV-Y

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC6026MFV-Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  toshiba
 2sc6026mfv-y 2sc6026mfv-gr.pdf pdf_icon

2SC6026MFV-Y

2SC6026MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6026MFV General-Purpose Amplifier Applications Unit: mm1.2 0.05 High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) 0.80 0.05 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) 1 High hFE : hFE = 120 to 400 1 Complementary to 2SA2154MFV 32

 4.1. Size:147K  toshiba
 2sc6026mfv.pdf pdf_icon

2SC6026MFV-Y

2SC6026MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6026MFV General-Purpose Amplifier Applications Unit: mm1.2 0.05 High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) 0.80 0.05 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) 1 High hFE : hFE = 120 to 400 1 Complementary to 2SA2154MFV 32

 7.1. Size:142K  toshiba
 2sc6026.pdf pdf_icon

2SC6026MFV-Y

2SC6026 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6026 General-Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 100 mA (max) Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) High hFE hFE = 120~400 : Complementary to 2SA2154 13Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 2

 7.2. Size:145K  toshiba
 2sc6026ct.pdf pdf_icon

2SC6026MFV-Y

2SC6026CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC6026CT General Purpose Amplifier Applications Unit: mm0.60.05 High voltage and high current 0.50.03: VCEO = 50V, IC = 100mA (max) Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)= 0.95 (typ.) High hFE hFE = 120 to 400 : Complementary to 2SA2154CT Absolut

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SC4117GR , 2SC4213-A , 2SC4213-B , 2SC5066O , 2SC5066Y , 2SC5084O , 2SC5084Y , 2SC6026MFV-GR , 2222A , HN1A01FE-GR , HN1A01FE-Y , HN1B04FE-GR , HN1B04FE-Y , 2N25550 , 2N25551 , 2SA1015G , 2SA1015O .

History: 45192 | 4NU73

 

 
Back to Top

 


 
.