2SC6026MFV-Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC6026MFV-Y

Маркировка: HY

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.95 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: VESM

 Аналоги (замена) для 2SC6026MFV-Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC6026MFV-Y даташит

 ..1. Size:162K  toshiba
 2sc6026mfv-y 2sc6026mfv-gr.pdf pdf_icon

2SC6026MFV-Y

2SC6026MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6026MFV General-Purpose Amplifier Applications Unit mm 1.2 0.05 High voltage and high current VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) 0.80 0.05 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) 1 High hFE hFE = 120 to 400 1 Complementary to 2SA2154MFV 3 2

 4.1. Size:147K  toshiba
 2sc6026mfv.pdf pdf_icon

2SC6026MFV-Y

2SC6026MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6026MFV General-Purpose Amplifier Applications Unit mm 1.2 0.05 High voltage and high current VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) 0.80 0.05 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) 1 High hFE hFE = 120 to 400 1 Complementary to 2SA2154MFV 3 2

 7.1. Size:142K  toshiba
 2sc6026.pdf pdf_icon

2SC6026MFV-Y

2SC6026 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6026 General-Purpose Amplifier Applications Unit mm High voltage and high current VCEO = 50 V, IC = 100 mA (max) Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) High hFE hFE = 120 400 Complementary to 2SA2154 1 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 2

 7.2. Size:145K  toshiba
 2sc6026ct.pdf pdf_icon

2SC6026MFV-Y

2SC6026CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC6026CT General Purpose Amplifier Applications Unit mm 0.6 0.05 High voltage and high current 0.5 0.03 VCEO = 50V, IC = 100mA (max) Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)= 0.95 (typ.) High hFE hFE = 120 to 400 Complementary to 2SA2154CT Absolut

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC4117GR, 2SC4213-A, 2SC4213-B, 2SC5066O, 2SC5066Y, 2SC5084O, 2SC5084Y, 2SC6026MFV-GR, BC549, HN1A01FE-GR, HN1A01FE-Y, HN1B04FE-GR, HN1B04FE-Y, 2N25550, 2N25551, 2SA1015G, 2SA1015O