MMBT8050DW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMBT8050DW

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для MMBT8050DW

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT8050DW даташит

 ..1. Size:373K  semtech
 mmbt8050cw mmbt8050dw.pdf pdf_icon

MMBT8050DW

MMBT8050W (1.5A) NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Peak Collector Current ICM 1.5 A Total Power Dissipation Ptot 200 mW O Junction Temperature Tj 150 C O Storage Te

 5.1. Size:229K  semtech
 mmbt8050c mmbt8050d.pdf pdf_icon

MMBT8050DW

 5.2. Size:351K  bytesonic
 mmbt8050d.pdf pdf_icon

MMBT8050DW

MMBT8050D o TRANSISTOR (NPN) FEATURES SOT-23 Complimentary to S8550 Collector Current IC=0.5A 1 BASE 2 EMITTER 3 COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.5 A PC Collector Dissipat

 5.3. Size:488K  agertech
 mmbt8050c mmbt8050d.pdf pdf_icon

MMBT8050DW

MMBT8050C/D(1.5A) Features For switching and amplifier applications Especially suitable for AF-Driver stages and low power output stages Absolute maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 1.5 A Power Dissipation PD 350 mW

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 9014B, 9014C, 9018G, BCX56-10U, BCX56-16U, MMBT3331, MMBT5401-HAF, MMBT8050CW, BC548, MMBT9012H-H23, MMBT9012H-H35, MMBT9013G, MMBT9013H, MMBT9013H-H23, MMBT9014B, MMBT9014C, MMBT9014C1