Биполярный транзистор MMBT8050DW - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBT8050DW
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: SOT323
Аналоги (замена) для MMBT8050DW
MMBT8050DW Datasheet (PDF)
mmbt8050cw mmbt8050dw.pdf
MMBT8050W (1.5A) NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VPeak Collector Current ICM 1.5 A Total Power Dissipation Ptot 200 mWOJunction Temperature Tj 150 C OStorage Te
mmbt8050d.pdf
MMBT8050DoTRANSISTOR (NPN)FEATURES SOT-23 Complimentary to S8550 Collector Current: IC=0.5A 1BASE 2EMITTER 3COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.5 A PC Collector Dissipat
mmbt8050c mmbt8050d.pdf
MMBT8050C/D(1.5A)Features For switching and amplifier applications Especially suitable for AF-Driver stages and lowpower output stagesAbsolute maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter Base Voltage VEBO 6 VCollector Current IC 1.5 APower Dissipation PD 350 mW
mmbt8050c-1.5a mmbt8050d-1.5a.pdf
MMBT8050-1.5A NPN Transistor Features SOT-23 For Switching and AF Amplifer Applications.Equivalent Circuit 1.Base 2.Emitter 3.Collector3.CollectorMarking Code : MMBT8050C-1.5A : X1 MMBT8050D-1.5A : Y11.Base2. Emitter.Absolute Maximum Ratings Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage V 40
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS