Биполярный транзистор MMBT9014C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBT9014C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6(max) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO236
Аналоги (замена) для MMBT9014C
MMBT9014C Datasheet (PDF)
mmbt9014b mmbt9014c mmbt9014d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MMBT9014 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications As complementary types the PNP transistor MMBT9015 is recommended. TO-236 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 50 VCollector Emitter Voltage VCEO 45 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 100 mA
mmbt9014c1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MMBT9014C1 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications As complementary types the PNP transistor MMBT9015 is recommended. 1.Base 2.Emitter 3.Collector TO-236 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 50 VCollector Emitter Voltage VCEO 45 VEmitter Base Voltage VEBO
mmbt9014.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMBT9014 NPN SILICON TRANSISTOR PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL & LOW NOISE 3 FEATURES * High Total Power Dissipation. (450mW) 1* Excellent hFE Linearity. 2* Complementary to UTC MMBT9015 SOT-23(JEDEC TO-236) ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package Packing 1 2 3MMBT9014G-x-AE3-R SOT-23 E B C Tape ReelNote: Pin
mmbt9014lt1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RoHS MMBT9014LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SOT-233PRF-AMPLIFIER,LOW LEVEL&LOW NOISE1 Complemen to MMPT9015LT1 Collector-current:Ic=100mA 2 Collector-Emiller Voltage:VCE=45V1.1.BASE High Totalpower Dissipation Pc=225mW2.EMITTER High life And Good Linearity2.43.COLLECTOR1.3Unit:mmoABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Symbol Rating UnitCharacterist
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .