Биполярный транзистор MMBT9015B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBT9015B
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 125
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для MMBT9015B
MMBT9015B Datasheet (PDF)
mmbt9015b mmbt9015c mmbt9015d.pdf
MMBT9015B / MMBT9015C / MMBT9015D PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and AF amplifier applications. As complementary types the NPN transistor MMBT9014B, MMBT9014C and MMBT9014D are recommended. SOT-23 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (T = 25 C)aParameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 50 V Collector Emitter Voltage -VCEO 45 V
mmbt9015.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMBT9015 PNP SILICON TRANSISTOR PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL & LOW NOISE 3 FEATURES *High total power dissipation. (450mW) 1*Excellent hFE linearity. 2*Complementary to UTC MMBT9014 SOT-23(JEDEC TO-236) ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package Packing 1 2 3MMBT9015G-x-AE3-R SOT-23 E B C Tape ReelNote: Pin As
mmbt9015lt1.pdf
RoHS MMBT9015LT1PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SOT-233LOW FREQRENCY,LOW NOISE AMPLIFIER1 Complemen to MMPT9014LT1 Collector-current:Ic=-100mA 2 Collector-Emiller Voltage:VCE=-45V1.1.BASE2.EMITTER2.43.COLLECTOR1.3Unit:mmoABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Symbol Rating UnitCharacteristicCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VV
mmbt9015-b mmbt9015-c mmbt9015-d.pdf
MMBT9015 PNP Transistor FeaturesSOT-23 (TO-236) For Switching and Amplifier Applications. As Complementary Type of the PNP TransistorMMBT9014 is Recommended.1.Base 2.Emitter 3.CollectorAbsolute Maximum Ratings Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified. Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -V 50 V CBOCollector Emitter Voltage
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050