Справочник транзисторов. MMBT9015C

 

Биполярный транзистор MMBT9015C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MMBT9015C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMBT9015C

 

 

MMBT9015C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  semtech
mmbt9015b mmbt9015c mmbt9015d.pdf

MMBT9015C
MMBT9015C

MMBT9015B / MMBT9015C / MMBT9015D PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and AF amplifier applications. As complementary types the NPN transistor MMBT9014B, MMBT9014C and MMBT9014D are recommended. SOT-23 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (T = 25 C)aParameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 50 V Collector Emitter Voltage -VCEO 45 V

 6.1. Size:110K  utc
mmbt9015.pdf

MMBT9015C
MMBT9015C

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMBT9015 PNP SILICON TRANSISTOR PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL & LOW NOISE 3 FEATURES *High total power dissipation. (450mW) 1*Excellent hFE linearity. 2*Complementary to UTC MMBT9014 SOT-23(JEDEC TO-236) ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package Packing 1 2 3MMBT9015G-x-AE3-R SOT-23 E B C Tape ReelNote: Pin As

 6.2. Size:135K  wej
mmbt9015lt1.pdf

MMBT9015C
MMBT9015C

RoHS MMBT9015LT1PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SOT-233LOW FREQRENCY,LOW NOISE AMPLIFIER1 Complemen to MMPT9014LT1 Collector-current:Ic=-100mA 2 Collector-Emiller Voltage:VCE=-45V1.1.BASE2.EMITTER2.43.COLLECTOR1.3Unit:mmoABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Symbol Rating UnitCharacteristicCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VV

 6.3. Size:507K  pjsemi
mmbt9015-b mmbt9015-c mmbt9015-d.pdf

MMBT9015C
MMBT9015C

MMBT9015 PNP Transistor FeaturesSOT-23 (TO-236) For Switching and Amplifier Applications. As Complementary Type of the PNP TransistorMMBT9014 is Recommended.1.Base 2.Emitter 3.CollectorAbsolute Maximum Ratings Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified. Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -V 50 V CBOCollector Emitter Voltage

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top