ST2SD1664U-R - описание и поиск аналогов

 

ST2SD1664U-R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST2SD1664U-R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150(typ) MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для ST2SD1664U-R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST2SD1664U-R даташит

 ..1. Size:391K  semtech
 st2sd1664u-p st2sd1664u-q st2sd1664u-r.pdf pdf_icon

ST2SD1664U-R

ST 2SD1664U NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 32 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current - DC IC 1 A Collector Current - Pulse 1) ICP 2 A 0.5 Ptot W Total Power Dissipation 2 2) Junction Temperature TJ 150 Storage Te

 4.1. Size:560K  semtech
 st2sd1664u.pdf pdf_icon

ST2SD1664U-R

ST 2SD1664U NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 32 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current - DC IC 1 A Collector Current - Pulse 1) ICP 2 A 0.5 Ptot W Total Power Dissipation 2 2) Junction Temperature TJ 150 Storage Te

 7.1. Size:350K  semtech
 st2sd1691t.pdf pdf_icon

ST2SD1664U-R

ST 2SD1691T NPN Silicon Epitaxial Power Transistor For Low-Frequencey Power Amplifiers and Mid-Speed Switching The transistor is subdivided into three groups, M, L and K, according to its DC-DC current gain. E C B TO-126 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Symbol Value Unit Parameter VCBO 60 V Collector to Base Voltage VCEO 60 V Collector to Emitter

 8.1. Size:551K  semtech
 st2sd1760u.pdf pdf_icon

ST2SD1664U-R

ST 2SD1760U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Power Transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 60 V Collector Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current - DC IC 3 A Collector Current - Pulse 1) ICP 4.5 PC 1 W Collector Power Dissipation Junction Temperature TJ 150 Stor

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MMBTSC4098W , MMBTSC945L , MMBTSC945O , MMBTSC945P , MMBTSC945R , MMBTSC945Y , ST2SD1664U-P , ST2SD1664U-Q , 2SC945 , MRF534 , MRF536 , MRF0211LT1 , MRF1000MA , MRF10070 , MRF1029 , MRF1030 , MRF1031 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.