MRF859S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MRF859S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 34 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.9 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 min pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: CASE319A-02

 Аналоги (замена) для MRF859S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF859S даташит

 ..1. Size:155K  motorola
 mrf859 mrf859s.pdf pdf_icon

MRF859S

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF859/D The RF Line MRF859 NPN Silicon MRF859S RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class A linear CLASS A amplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the 800 960 MHz range of 800 to 960 MHz. 6.5 W (CW), 24 V Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0

 8.1. Size:155K  motorola
 mrf859re.pdf pdf_icon

MRF859S

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF859/D The RF Line MRF859 NPN Silicon MRF859S RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class A linear CLASS A amplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the 800 960 MHz range of 800 to 960 MHz. 6.5 W (CW), 24 V Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0

 9.1. Size:103K  motorola
 mrf857rev3.pdf pdf_icon

MRF859S

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF857/D The RF Line NPN Silicon MRF857S RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class A linear amplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the range of 800 960 MHz. CLASS A 800 960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0.3 Adc Characteristics 2.1

 9.2. Size:164K  motorola
 mrf858re.pdf pdf_icon

MRF859S

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF858/D The RF Line MRF858 NPN Silicon MRF858S RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class A linear amplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the range of 800 960 MHz. CLASS A 800 960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0.5 Adc Characterist

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF837, MRF8372R1, MRF8372R2, MRF847, MRF857, MRF858, MRF858S, MRF859, A1015, MRF860, MRF861, MRF862, MRF880, MRF890, MRF892, MRF896, MRF898