2SC3356-SD3-R-R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC3356-SD3-R-R

Маркировка: R25_R24_R23

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 typ MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 2SC3356-SD3-R-R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3356-SD3-R-R даташит

 0.1. Size:601K  cn yw
2sc3356-sc1-r-r 2sc3356-sf3-r-r 2sc3356-sd3-r-r 2sc3356-t93-r-k.pdfpdf_icon

2SC3356-SD3-R-R

2SC3356 (NPN) High-Frequency Amplifier Transistor 1 TO-92 3 FEATURES 2 * SOT23 1 Low noise and high gain. NF=1.1dB Typ. f=1.0 GHz Ga=11dB Typ.@Vce=10V,Ic=7mA 3 * High power gain. 2 1 MAG=13dB Typ.@Vce=10V,Ic=20mA f=1.0 GHz SOT-23-3L 3 2 1 SOT-523 1 B 2 E 3 C

 6.1. Size:661K  jsmsemi
2sc3356-r25.pdfpdf_icon

2SC3356-SD3-R-R

2SC3356-R25 Silicon Epitaxial Planar Transistor Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SC3356-R25 FEATURES Low noise and high gain. NF=1.1dB TYP.,Ga=11dB TYP. @VCE=10V,IC=7mA, f=1.0GHz High power gain. MAG=13dB TYP. @VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz. APPLICATIONS SOT-23 Designed for low noise amplifier at VHF,UHF and CATV band. ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package C

 6.2. Size:1194K  cn evvo
2sc3356-r23 2sc3356-r24 2sc3356-r25 2sc3356-r26.pdfpdf_icon

2SC3356-SD3-R-R

2SC3356 NPN Transistors 3 Features 2 Low noise and high gain. 1. Gate NF = 1.1 dB Typ., Ga = 11 dB Typ. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz 2. Source 1 3. Drain High power gain. MAG = 13 dB Typ. @VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz Simplified outline(SOT23) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector to base voltage VCBO 20 V Collector to emitter

Другие транзисторы: S9015L, 2SA812H, 2SA812L, 2SC1623-L4, 2SC2412Q, 2SC2412R, 2SC2412S, 2SC3356-SC1-R-R, MPSA42, 2SC3356-SF3-R-R, 2SC3356-T93-R-K, 2SC4083PWT1G, 2SD1628-E, 2SD1628-F, 2SD1628-G, C945H, C945L