2SC4083PWT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC4083PWT1G
Маркировка: 1D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 11 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82
Корпус транзистора: SC70
Аналоги (замена) для 2SC4083PWT1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC4083PWT1G даташит
2sc4083pwt1g.pdf
2SC4083PWT1G o Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Symbol Limits Unit Parameter 3 COLLECTOR Collector-base voltage VCBO 20 V VCEO 11 V Collector-emitter voltage 1 Emitter-base voltage VEBO 3 V BASE Collector current IC 50 mA Collector power dissipation PC 0.15 W 2 o Junction temperature EMITTER T 150 C j o Storage temperature Tstg - 55 +150 C Ordering Information D
l2sc4083pwt1g l2sc4083pwt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor L2SC4083PWT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site S-L2SC4083PWT1G and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 1 Ordering Information 2 Device Marking Shipping L2SC4083PWT1G
l2sc4083pwt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor L2SC4083PWT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site S-L2SC4083PWT1G and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 1 Ordering Information 2 Device Marking Shipping L2SC4083PWT1G
l2sc4083pt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier L2SC4083NT1G Transistor Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-L2SC4083NT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site Series and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. Ordering Information Device Marking Shipping L2SC4083NT1G 3000
Другие транзисторы: 2SC1623-L4, 2SC2412Q, 2SC2412R, 2SC2412S, 2SC3356-SC1-R-R, 2SC3356-SD3-R-R, 2SC3356-SF3-R-R, 2SC3356-T93-R-K, S9018, 2SD1628-E, 2SD1628-F, 2SD1628-G, C945H, C945L, GT13003Y, L8550HQ, MMBT2222A-H
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet




