MMBT2222A-H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMBT2222A-H

Маркировка: 1P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMBT2222A-H

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT2222A-H даташит

 ..1. Size:930K  cn salltech
 mmbt2222a-l mmbt2222a-h.pdf pdf_icon

MMBT2222A-H

 ..2. Size:795K  cn shandong jingdao microelectronics
 mmbt2222a-l mmbt2222a-h.pdf pdf_icon

MMBT2222A-H

Jingdao Microelectronics co.LTD MMBT2222A MMBT2222A SOT-23 NPN TRANSISTOR 3 FEATURES Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available(MMBT2907A) 1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2 Symbol Parameter Value Unit 1.BASE Collector Base Voltage VCBO 75 V 2.EMITTER Collector Emitte

 ..3. Size:1943K  wpmtek
 mmbt2222a-l mmbt2222a-h.pdf pdf_icon

MMBT2222A-H

 0.1. Size:141K  comchip
 mmbt2222a-hf.pdf pdf_icon

MMBT2222A-H

Small Signal Transistor MMBT2222A-HF (NPN) RoHS Device Halogen Free Features SOT-23 -NPN silicon epitaxial planar transistor for switching and amplifier application. 0.118(3.00) 0.110(2.80) 3 Mechanical data 0.055(1.40) 0.047(1.20) -Case SOT-23, molded plastic. 1 2 0.079(2.00) 0.071(1.80) -Terminals solderable per MIL-STD-750, method 2026. 0.006(0.15) 0.003(0.08) -Ap

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC4083PWT1G, 2SD1628-E, 2SD1628-F, 2SD1628-G, C945H, C945L, GT13003Y, L8550HQ, D667, MMBT2222A-L, MMBT2907A-H, MMBT2907A-L, MMBT3904-H, MMBT3904J, MMBT3904-L, MMBT3906-H, MMBT3906-L