Биполярный транзистор MMBT2907A-L
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBT2907A-L
Маркировка: 2F
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора:
SOT23
Аналоги (замена) для MMBT2907A-L
MMBT2907A-L
Datasheet (PDF)
..2. Size:786K cn shandong jingdao microelectronics
mmbt2907a-l mmbt2907a-h.pdf Jingdao Microelectronics co.LTD MMBT2907AMMBT2907ASOT-23PNP TRANSISTOR3FEATURES Epitaxial planar die construction Complementary NPN Type available(MMBT2222A) 1MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)2SymbolParameter Value Unit1.BASECollectorBase Voltage VCBO -60 V2.EMITTER3.COLLECTORColle
4.1. Size:307K panjit
mmbt2907a-au.pdf MMBT2907A-AUPNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR POWER 225 mWattVOLTAGE 60 VoltFEATURESPNP epitaxial silicon, planar design 0.120(3.04)0.110(2.80)Collector-emitter voltage VCE = -60VCollector current IC = -600mAAEC-Q101 qualifiedLead free in compliance with EU RoHS 2.0 0.056(1.40)Green molding compound as per IEC 61249 standard0.047(1.20)0.079(2.00) 0.008(0.20)
4.2. Size:143K comchip
mmbt2907a-g.pdf General Purpose TransistorMMBT2907A-G (PNP)RoHS DeviceFeaturesSOT-23 -Epitaxial planar die construction -Device is designed as a general purpose0.118(3.00)0.110(2.80)amplifier and switching.3 -Useful dynamic range exceeds to 600mA0.055(1.40)0.047(1.20) As a switch and to 100MHz as an amplifier.1 20.079(2.00)0.071(1.80)0.006(0.15)0.003(0.08)0.041(1.05)0.
4.3. Size:4000K msksemi
mmbt2907a-ms.pdf www.msksemi.comMMBT2907A-MSSemiconductor CompianceSemiconductor CompianceTRANSISTOR (PNP)FEATURES Epitaxial planar die construction Complementary NPN Type available(MMBT2222A-MS)1. BASEMarking: 2F 2. EMITTERSOT23 3. COLLECTORMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -60 VVCEO Collector-Emitter
Другие транзисторы... 2N3192
, 2N3193
, 2N3194
, 2N3195
, 2N3196
, 2N3197
, 2N3198
, 2N3199
, BC327
, 2N320
, 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
.