Биполярный транзистор MMBT3904-H - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBT3904-H
Маркировка: 1AM
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для MMBT3904-H
MMBT3904-H Datasheet (PDF)
mmbt3904-l mmbt3904-h.pdf
Jingdao Microelectronics co.LTD MMBT3904MMBT3904SOT-23NPN TRANSISTOR3FEATURES Complementary to MMBT3906 1MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)2SymbolParameter Value Unit1.BASECollectorBase Voltage VCBO 60 V2.EMITTERCollectorEmitter Voltage VCEO 40 V3.COLLECTOREmitterBase Voltage VEB
mmbt3904-hf.pdf
General Purpose TransistorMMBT3904-HF (NPN)RoHS DeviceHalogen FreeSOT-23Features0.118(3.00)0.110(2.80) -Epitaxial planar die construction3 -As complementary type, the PNP0.055(1.40)0.047(1.20)transistor MMBT3904-HF is recommended1 20.006(0.15)0.079(2.00)Collector0.002(0.05)0.071(1.80)30.041(1.05) 0.100(2.55)0.035(0.90) 0.089(2.25)1Base0.004(0.10
mmbt3904-d.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors(KMBT3904-D)MMBT3904-DSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13Features Complementary to MMBT3906-D1 2 Marking:1AM+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector - Base Voltage VCBO 60 VCollector - Emitter Voltage VC
mmbt3904-g.pdf
General Purpose TransistorMMBT3904-G (NPN)RoHS DeviceFeaturesSOT-23 -Epitaxial planar die construction0.120 (3.04)0.110 (2.80) -As complementary type, the PNP3transistor MMBT3904-G is recommended0.055 (1.40)0.047 (1.20)1 20.080 (2.04)0.070 (1.78)Collector0.007 (0.18)3 0.003 (0.08)0.044 (1.11)0.104 (2.64)0.035 (0.89)0.083 (2.10)1Base0.004 (0.100)
mmbt3904-ms.pdf
www.msksemi.comMMBT3904-MSSemiconductor CompianceSemiconductor CompianceTRANSISTOR (NPN)FEATURES Complementary to MMBT3906-MSMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE2. EMITTERSOT23 MARKING: 1AM3. COLLECTORMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Volta
mmbt3904-t3 mmbt3904g-t3.pdf
MMBT3904GENERAL PURPOSE TRANSISTORS NPN Silicon FEATURES NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor For Switching And Amplifier Applications Collector-emitter Voltage VCE=40V Collector Current IC=200mA MECHANICAL DATA C E Available in SOT-23 Package SolderabilityMIL-STD-202, Method 208 Full RoHS Compliance B ORDERING INFORMATION PART NUM
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: BTNA45A3 | 2N3163
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050