MMBTA42-L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMBTA42-L

Маркировка: 1D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMBTA42-L

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTA42-L даташит

 ..1. Size:534K  cn yfw
 mmbta42 mmbta42-l.pdf pdf_icon

MMBTA42-L

MMBTA42 SOT-23 NPN Transistors 3 2 1.Base Features 2.Emitter High breakdown voltage 1 3.Collector Low collector-emitter saturation voltage Simplified outline(SOT-23) Complementary to MMBTA92 (PNP) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 300 Collector - Emitter Voltage VCEO 300 V Emitter - Base V

 6.1. Size:182K  wietron
 mmbta42-43.pdf pdf_icon

MMBTA42-L

MMBTA42 MMBTA43 COLLECTOR High-Voltage NPN Transistor 3 3 Surface Mount 1 1 BASE 2 P b Lead(Pb)-Free 2 EMITTER SOT-23 Maximum Ratings (T =25 C Unlesso therwise noted) A Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage MMBTA42 300 V V CEO MMBTA43 200 Collector-Base Voltage MMBTA42 300 V V CBO MMBTA43 200 Emitter-Base Voltage MMBTA42 6.0 V EBO V MMBTA43 6.0 C

 6.2. Size:176K  comchip
 mmbta42-g.pdf pdf_icon

MMBTA42-L

General Purpose Transistor MMBTA42-G (NPN) RoHS Device Features SOT-23 -High breakdown voltage. 0.119(3.00) 0.110(2.80) -Low collector-emitter saturation voltage. 3 -Ultra small surface mount package. 0.056(1.40) 0.047(1.20) Diagram 1 2 0.079(2.00) Collector 0.071(1.80) 3 0.006(0.15) 0.003(0.08) 1 0.041(1.05) 0.100(2.550) Base 0.035(0.90) 0.089(2.250) 2 0.004(0.10)

 6.3. Size:5243K  msksemi
 mmbta42-ms.pdf pdf_icon

MMBTA42-L

www.msksemi.com MMBTA42-MS Semiconductor Compiance Semiconductor Compiance TRANSISTOR (NPN) FEATURES High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Complementary to MMBTA92-MS (PNP) 1. BASE 2. EMITTER SOT 23 Marking 1D 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit Collector-Base Voltage VCBO 300 V Coll

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT4401H, MMBT4403H, MMBT5401H, MMBT5401-H, MMBT5401-L, MMBT5551H, MMBT5551-H, MMBT5551-L, C5198, MMBTA92H, MMBTA92J, MMBTA92-L, MMBTS8550H, MMBTS8550J, MMBTS8550L, MMBTSS8050H, MMBTSS8050J