Биполярный транзистор S8550-J - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: S8550-J
Маркировка: 2TY
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT23
S8550-J Datasheet (PDF)
s8550-l s8550-h s8550-j.pdf
Jingdao Microelectronics co.LTD S8550S8550SOT-23PNP TRANSISTOR3FEATURES Complimentary to S8050 Collector current: IC=0.5A 1MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)2SymbolParameter Value Unit1.BASE2.EMITTERCollectorBase Voltage -40 VCBO V3.COLLECTORVCEO -25 VCollectorEmitter Voltag
s8550 s8550-l s8550-h s8550-j.pdf
S8550 SOT-23 PNP Transistors321.Base2.EmitterFeatures1 3.CollectorCollector current: IC-=0.5A Simplified outline(SOT-23) Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage VCEO -25 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current -Continuous IC -0.5 ACollector Power Dissipation PC 0.3 WJunct
ad-ss8550-l ad-ss8550-h ad-ss8550-j.pdf
www.jscj-elec.com AD-SS8550* series JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-SS8550* series Plastic-Encapsulated Transistor AD-SS8550* series Transistor (PNP) FEATURES High Collector Current Complimentary to AD-SS8050 AEC-Q101 qualified Version 1.0 1 / 6 2021-07-01 www.jscj-elec.com AD-SS8550* series MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise speci
ss8550-l ss8550-h ss8550-j.pdf
SS8550TRANSISTOR(PNP)SOT23 FEATURES High Collector Current Complementary to SS8050 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage -40 V CBOV Collector-Emitter Voltage -25 V CEOV Emitter-Base Voltage -5 V EBOIC Collector Current -1.5 A P Collector Power Dissipati
ss8550-l ss8550-h ss8550-j.pdf
Jingdao Microelectronics co.LTD SS8550 SS8550SOT-23PNP TRANSISTOR3FEATURES High Collector Current Complementary to SS8050 1MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)2ParameterSymbolValue Unit1.BASE2.EMITTERCollectorBase Voltage VCBO -40V3.COLLECTORCollectorEmitter Voltage VCEO -25 V
ss8550-l ss8550-h ss8550-j.pdf
SS8 550 TRANSISTOR(PNP)FEATURES SOT23 High Collector Current Complementary to SS8050 MARKING: Y2MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage -40 V CBO3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage -25 V CEOV Emitter-Base Voltage -5 V EBOIC Collector Current -1.5 A P Collector
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050