2SC4617S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC4617S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5(max) pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270
Корпус транзистора: SOT523
Аналоги (замена) для 2SC4617S
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC4617S даташит
2sc4617q 2sc4617r 2sc4617s.pdf
TAK CHEONG SEMICONDUCTOR 150mW SOT-523 SURFACE MOUNT Green Product Plastic Package NPN Silicon General Purpose Transistor 3 Absolute Maximum Ratings TA = 25 C unless otherwise noted 2 Symbol Parameter Value Units PC Collector Power Dissipation 150 mW 1 TSTG Storage Temperature Range -55 to +150 C TJ Operating Junction Temperature +150 C SOT-523 VCBO Collecto
2sc4617q 2sc4617r 2sc4617s.pdf
2SC4617 2SC4617 2SC4617 2SC4617 TRANSISTOR(NPN) 2SC4617 SOT 523 FEATURES Low Cob Cob=2.0pF(Typ) Complement to 2SA1774 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current -Continuous 150
l2sc4617qt1g l2sc4617qt3g l2sc4617rt1g l2sc4617rt3g l2sc4617st1g l2sc4617st3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site L2SC4617QT1G Series and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. Ordering information S-L2SC4617QT1G Series Device Marking Shipping L2SC4617QT1G BQ
l2sc4617qt1g l2sc4617rt1g l2sc4617st1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site L2SC4617QT1G Series and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. Ordering information S-L2SC4617QT1G Series Device Marking Shipping L2SC4617QT1G BQ
Другие транзисторы... SS8550J , SS8550L , SS8550-Y2-H , SS8550-Y2-J , SS8550-Y2-L , 29012H , 2SC4617Q , 2SC4617R , BC558 , 3DD13003F6 , B772E , B772Q , D882E , MMBT3904N3 , MMBTH10A , MMBTH10B , MMBTH10C .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943





