Биполярный транзистор SL13003 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SL13003
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO126
SL13003 Datasheet (PDF)
sl13003.pdf
SL13003TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power switching applications TO-126 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuous 1.5 A 1 . BASE PC Collector Power Dissipation 1.25
csl13003.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL, HIGH SPEED, CSL13003 HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTORTO-92Plastic PackageBCEApplicationsSuitable for Lighting, Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCBOCollector Base Voltage 600 VVCEOCollecto
sl13003a1 sl13003a2 sl13003b1 sl13003b2.pdf
SL13003TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power switching applications TO-126 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuous 1.5 A 1 . BASE PC Collector Power Dissipation 1.25
tsl13003.pdf
Epitaxial Planar Transistor (NPN) TSL13003 Epitaxial Planar Transistor (NPN) Features NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Suitable for Lighting, Switching Regulator and Motor Control RoHS compliance TO-92 Mechanical Data Case: TO-92, Plastic Package Terminals: Solderable per MIL-STD-202G, Method 208 Weight: 0.18 gram Maximum Ratings (T =25C unless note
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050