3DD13005MD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13005MD  📄📄 

Маркировка: 13005MD

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO220 TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13005MD

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13005MD даташит

 ..1. Size:440K  1
3dd13005md.pdfpdf_icon

3DD13005MD

 ..2. Size:571K  jilin sino
3dd13005md.pdfpdf_icon

3DD13005MD

 6.1. Size:108K  secos
3dd13005.pdfpdf_icon

3DD13005MD

3DD13005 4A , 700V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-220J Power switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise specified) Parameter Symbol Rating Unit Collector to Base Voltage V 700 V CBO Collector to Emitter Voltage VCEO 400 V

 6.2. Size:468K  jiangsu
3dd13005nd66.pdfpdf_icon

3DD13005MD

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistor TO-220-3L 3DD13005ND66 TRANSISTOR (NPN) BASE 1 . FEATURES 2. COLLECTOR Power switching applic

Другие транзисторы: GN1A3Q, SL13003, CD8050B, CD8050C, CD8050D, 3DD13005A, 3DD13005D, 3DD13005ED, 2N5551, 3DD13007MD, 3DD13009E, 3DD4110PL, 3DD4120PL, 3DD4121D, 3DD4124DL, 3DD4126PL, 3DD4128PL