3DD4212D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD4212D  📄📄 

Маркировка: 4212D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD4212D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD4212D даташит

 ..1. Size:649K  jilin sino
 3dd4212d.pdf pdf_icon

3DD4212D

 0.1. Size:233K  jilin sino
 3dd4212dt.pdf pdf_icon

3DD4212D

 9.1. Size:627K  1
 3dd4205d.pdf pdf_icon

3DD4212D

 9.2. Size:642K  jilin sino
 3dd4204d.pdf pdf_icon

3DD4212D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD4124DL, 3DD4126PL, 3DD4128PL, 3DD4130PL, 3DD4140PL, 3DD4202BD, 3DD4203D, 3DD4205D, BD140, 3DD4222T, 3DD4241M, 3DD4241R, 3DD4241T, 3DD4242D, 3DD4243DR, 3DD4243DV, 3DD4243DY