3DD5017P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD5017P  📄📄 

Маркировка: 5017P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD5017P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD5017P даташит

 ..1. Size:528K  jilin sino
 3dd5017p.pdf pdf_icon

3DD5017P

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5017P FOR LOW FREQUENCY R 3DD5017P Package MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1000 V BV CBO 12 A I C 0.5 V(max) V CE(sat) 0.3 s(max) t f APPLICATIONS Switching power Supply for color TV. F

 8.1. Size:235K  jilin sino
 3dd5011.pdf pdf_icon

3DD5017P

 9.1. Size:144K  jilin sino
 3dd5036.pdf pdf_icon

3DD5017P

 9.2. Size:359K  jilin sino
 3dd5024p.pdf pdf_icon

3DD5017P

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5023 FOR LOW FREQUENCY R 3DD5024P Package MAIN CHARACTERISTICS TO-220HF 1500 V BV CBO 8A I C 3V(max) V CE(sat) 1 s(max) t f APPLICATIONS Horizontal deflection output for color TV. 1 2 3 FEATU

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD4611HT, 3DD4612D, 3DD4613H, 3DD4615H, 3DD4617H, 3DD4618H, 3DD4802, 3DD4804, MJE340, 3DD5023P, 3DD5032P, 3DD5036P, 3DD5038P, 3DD5605Z, 3DFH3504Z, BA15N23A, BA15N26A