Справочник транзисторов. 3DD5023P

 

Биполярный транзистор 3DD5023P - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DD5023P
   Маркировка: 5023P
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 3DD5023P

 

 

3DD5023P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  jilin sino
3dd5023p.pdf

3DD5023P
3DD5023P

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5023 FOR LOW FREQUENCYR 3DD5023P Package MAIN CHARACTERISTICSTO-220HF 1500 VBVCBO 6 AIC 5 V(max)VCE(sat) 1 s(max)tf APPLICATIONS Horizontal deflection output for color TV.1 2 3 FEA

 7.1. Size:207K  blue-rocket-elect
3dd5023.pdf

3DD5023P
3DD5023P

3DD5023 NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Application: Color TV Horizontal deflection output applications :, Features: High breakdown voltageLow drain currentHigh switching speedLow saturation voltageExcellent current characte

 8.1. Size:359K  jilin sino
3dd5024p.pdf

3DD5023P
3DD5023P

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5023 FOR LOW FREQUENCYR 3DD5024P Package MAIN CHARACTERISTICSTO-220HF 1500 VBVCBO 8AIC 3V(max)VCE(sat) 1 s(max)tf APPLICATIONS Horizontal deflection output for color TV.1 2 3 FEATU

 8.2. Size:368K  jilin sino
3dd5027.pdf

3DD5023P
3DD5023P

NPN WSRs_sQvfSO{HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORR3DD5027 ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS \ Package IC 3AVCEO 800VPC(TO-220) 50W(u APPLICATIONS op Energy-saving ligh

 8.3. Size:207K  blue-rocket-elect
3dd5024.pdf

3DD5023P
3DD5023P

3DD5024 NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Application: Color TV Horizontal deflection output applications :, Features: High breakdown voltageLow drain currentHigh switching speedLow saturation voltageExcellent current characte

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top