Справочник транзисторов. 3DD5032P

 

Биполярный транзистор 3DD5032P Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD5032P
   Маркировка: 5032P
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.7 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO-3P
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3DD5032P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:471K  jilin sino
3dd5032p.pdfpdf_icon

3DD5032P

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5017P FOR LOW FREQUENCYR 3DD5032P Package MAIN CHARACTERISTICSTO-3P(H)IS 1500 VBVCBO 8 AIC 3 V(max)VCE(sat) 1s(max)tf APPLICATIONS Switching power Supply for color TV. FEATURE

 7.1. Size:213K  jilin sino
3dd5032.pdfpdf_icon

3DD5032P

NO>e'Y{X[vSgWvfSO{ CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5032 FOR LOW FREQUENCY R3DD5032 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1500 V BVCBO 8 A Ic 3 V(max) Vce(sat)

 8.1. Size:144K  jilin sino
3dd5036.pdfpdf_icon

3DD5032P

NO>e'Y{X[vSgWvfSO{ CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5036 FOR LOW FREQUENCY R3DD5036 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1700 V BV CBO8 A I C3 V(max) V

 8.2. Size:146K  jilin sino
3dd5039.pdfpdf_icon

3DD5032P

NO>e'Y{X[vSgWvfSO{ CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5039 FOR LOW FREQUENCY R3DD5039 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS TO-220HF 900 V BV CBO6 A I C1.0 V(max) V C

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC706 | KMBTA05 | 2SC1400U | DTA602 | ECG311

 

 
Back to Top

 


 
.