3DD5036P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD5036P  📄📄 

Маркировка: D5036P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.7 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-3P

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD5036P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD5036P даташит

 ..1. Size:485K  jilin sino
 3dd5036p.pdf pdf_icon

3DD5036P

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5036P FOR LOW FREQUENCY R 3DD5036P Package MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1500 V BV CBO 10 A I C 3 V(max) V CE(sat) 0.6 s(max) t f APPLICATIONS Horizontal deflection output for color TV. B C E ENT

 7.1. Size:144K  jilin sino
 3dd5036.pdf pdf_icon

3DD5036P

 8.1. Size:213K  jilin sino
 3dd5032.pdf pdf_icon

3DD5036P

 8.2. Size:471K  jilin sino
 3dd5032p.pdf pdf_icon

3DD5036P

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5017P FOR LOW FREQUENCY R 3DD5032P Package MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1500 V BV CBO 8 A I C 3 V(max) V CE(sat) 1 s(max) t f APPLICATIONS Switching power Supply for color TV. FEATURE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD4615H, 3DD4617H, 3DD4618H, 3DD4802, 3DD4804, 3DD5017P, 3DD5023P, 3DD5032P, A940, 3DD5038P, 3DD5605Z, 3DFH3504Z, BA15N23A, BA15N26A, BA15N26B, BA15P23A, BA15P26A