BL15N15A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BL15N15A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000

Корпус транзистора: TO3PL

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BL15N15A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BL15N15A даташит

 ..1. Size:894K  jilin sino
 bl15n15a bl15p15a.pdf pdf_icon

BL15N15A

 9.1. Size:1196K  belling
 bl15n25-p bl15n25-a bl15n25-u bl15n25-d.pdf pdf_icon

BL15N15A

BL15N25 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL15N25, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

 9.2. Size:1253K  belling
 bl15n50-p bl15n50-a bl15n50-f.pdf pdf_icon

BL15N15A

BL15N50-APF Power MOSFET 1.Description Step-Down Converter BL15N50-APF, the silicon N-channel , Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS

Другие транзисторы: BA15N26B, BA15P23A, BA15P26A, BA15P26B, BA16N25A, BA16P25A, BL10N15A, BL10P15A, 8550, BL15P15A, BM03N05, BM03P05, BM05N06B, BM05P06A, BM05P06B, BM1P40A, BM3P03A