Биполярный транзистор SBT42 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SBT42
Маркировка: M1A*
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3(max) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SOT23
SBT42 Datasheet (PDF)
..1. Size:324K auk
sbt42.pdf
sbt42.pdf
SBT42 NPN Silicon Transistor Descriptions High voltage application COLLECTOR Telephone application 331Features BASE Collector-Emitter voltage V =SBT42 : 300V CEO2EMITTER Complementary pair with SBT92 SOT-23 Ordering Information Part Number Marking Package M1A SBT42 SOT-23 * Device Code Year & Week Code
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050