2SA1294 - описание и поиск аналогов

 

2SA1294. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1294

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для 2SA1294

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1294 даташит

 ..1. Size:193K  jmnic
2sa1294.pdfpdf_icon

2SA1294

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1294 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SC3263 APPLICATIONS Audio and general purpose PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

 ..2. Size:28K  sanken-ele
2sa1294.pdfpdf_icon

2SA1294

LAPT 2SA1294 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3263) Application Audio and General Purpose (Ta=25 C) Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Electrical Characteristics External Dimensions MT-100(TO3P) Symbol Ratings Unit Symbol Conditions Ratings Unit 0.2 4.8 0.4 15.6 0.1 VCBO 230 V ICBO VCB= 230V 100max A 9.6 2.0 VCEO 230 V IEBO VEB=

 ..3. Size:219K  inchange semiconductor
2sa1294.pdfpdf_icon

2SA1294

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1294 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -230V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SC3263 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VAL

 8.1. Size:203K  toshiba
2sa1298.pdfpdf_icon

2SA1294

2SA1298 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial (PCT process) 2SA1298 Low Frequency Power Amplifier Application Unit mm Power Switching Applications High DC current gain hFE = 100 320 Low saturation voltage V = -0.4 V (max) CE (sat) (I = -500 mA, I = -20 mA) C B Suitable for driver stage of small motor Complementary to 2SC3265 Small package Max

Другие транзисторы: 2SA1291S, 2SA1292, 2SA1292Q, 2SA1292R, 2SA1292S, 2SA1293, 2SA1293O, 2SA1293Y, D882, 2SA1294O, 2SA1294Y, 2SA1295, 2SA1295O, 2SA1295Y, 2SA1296, 2SA1296GR, 2SA1296Y

 

 

 

 

↑ Back to Top
.