Биполярный транзистор 2SA1294O Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SA1294O
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO3P
Аналог (замена) для 2SA1294O
2SA1294O Datasheet (PDF)
2sa1294.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1294 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SC3263 APPLICATIONS Audio and general purpose PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
2sa1294.pdf

LAPT 2SA1294Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3263)Application : Audio and General Purpose(Ta=25C) Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics External Dimensions MT-100(TO3P)Symbol Ratings Unit Symbol Conditions Ratings Unit0.24.80.415.60.1VCBO 230 V ICBO VCB=230V 100max A 9.6 2.0VCEO 230 V IEBO VEB=
2sa1294.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1294DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = -230V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC3263Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VAL
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: 2N3808DCSM
History: 2N3808DCSM



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073