2N1329. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N1329
Тип материала: Ge
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO10
Аналоги (замена) для 2N1329
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N1329 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: 2N1321, 2N1322, 2N1323, 2N1324, 2N1325, 2N1326, 2N1327, 2N1328, TIP3055, 2N132A, 2N133, 2N1330, 2N1331, 2N1332, 2N1333, 2N1334, 2N1335
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626
