Биполярный транзистор 2SA1306O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1306O
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO218
2SA1306O Datasheet (PDF)
2sa1306 2sa1306a 2sa1306b.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2SA1306 2SA1306A 2SA1306B DESCRIPTION With TO-220Fa package Complement to type 2SC3298,2SC3298A,2SC3298B APPLICATIONS Power amplifier applications Driver stage amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 Collector3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDIT
2sa1306 2sa1306a.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistors 2SA1306/ADESCRIPTIONGood Linearity of hFEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = -160V(Min)-2SA1306(BR)CEO= -180V(Min)-2SA1306AComplement to Type 2SC3298/AMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Driver stage amplif
2sa1306 a b.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors 2SA1306/A/B DESCRIPTION Good Linearity of hFEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -160V(Min)-2SA1306 = -180V(Min)-2SA1306A = -200V(Min)-2SA1306B Complement to Type 2SC3298/A/B APPLICATIONS Power amplifier applications. Driver stage amplifier applications. ABSOLUTE
2sa1306.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistors 2SA1306DESCRIPTIONGood Linearity of hFEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = -160V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SC3298Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Driver stage amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM
2sa1306 2sa1306a 2sa1306b.pdf
isc Silicon PNP Power Transistors 2SA1306/A/BDESCRIPTIONGood Linearity of hFEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = -160V(Min)-2SA1306(BR)CEO= -180V(Min)-2SA1306A= -200V(Min)-2SA1306BComplement to Type 2SC3298/A/BMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Driver stage amp
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050