2N1332 - описание и поиск аналогов

 

2N1332. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1332

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO10

 Аналоги (замена) для 2N1332

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1332 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N1326, 2N1327, 2N1328, 2N1329, 2N132A, 2N133, 2N1330, 2N1331, 2N3906, 2N1333, 2N1334, 2N1335, 2N1336, 2N1337, 2N1338, 2N1339, 2N133A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.