2N1332 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: 2N1332
   Тип материала: Ge
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO10
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам