Биполярный транзистор 2N1332 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1332
Тип материала: Ge
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO10
Другие транзисторы... 2N1326 , 2N1327 , 2N1328 , 2N1329 , 2N132A , 2N133 , 2N1330 , 2N1331 , A733 , 2N1333 , 2N1334 , 2N1335 , 2N1336 , 2N1337 , 2N1338 , 2N1339 , 2N133A .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050