Биполярный транзистор 2N1333 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N1333
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO10
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам