Биполярный транзистор 2SA1327O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1327O
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 11 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 120 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO218
2SA1327O Datasheet (PDF)
2sa1327.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1327 DESCRIPTION With TO-220Fa package Low collector saturation voltage High current capacity APPLICATIONS Strobe flash applications Audio power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 Collector3 BaseAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
2sa1327.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1327DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.5V(Max.)@I = -8ACE(sat) CHigh DC Current Gain-: hFE= 70(Min.)@ I = -8ACMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSStrobe flash applications.Audio power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050