2SA1327O - описание и поиск аналогов

 

2SA1327O. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1327O

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 11 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 120 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для 2SA1327O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1327O даташит

 7.1. Size:175K  toshiba
 2sa1327a.pdf pdf_icon

2SA1327O

 7.2. Size:202K  jmnic
 2sa1327.pdf pdf_icon

2SA1327O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1327 DESCRIPTION With TO-220Fa package Low collector saturation voltage High current capacity APPLICATIONS Strobe flash applications Audio power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector 3 Base Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

 7.3. Size:218K  inchange semiconductor
 2sa1327.pdf pdf_icon

2SA1327O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1327 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.5V(Max.)@I = -8A CE(sat) C High DC Current Gain- hFE= 70(Min.)@ I = -8A C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Strobe flash applications. Audio power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA1320, 2SA1321, 2SA1322, 2SA1323, 2SA1324, 2SA1325, 2SA1326, 2SA1327, S8050, 2SA1327Y, 2SA1328, 2SA1328O, 2SA1328Y, 2SA1329, 2SA1329O, 2SA1329Y, 2SA133

 

 

 

 

↑ Back to Top
.