Справочник транзисторов. 2SA1390

 

Биполярный транзистор 2SA1390 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1390
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SPAK
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1390 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  hitachi
2sa1390.pdfpdf_icon

2SA1390

2SA1390Silicon PNP EpitaxialApplicationLow frequency amplifierOutlineSPAK1. Emitter122. Collector33. Base2SA1390Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 35 VCollector to emitter voltage VCEO 35 VEmitter to base voltage VEBO 4 VCollector current IC 500 mACollector power dissipation PC 300 mWJu

 8.1. Size:236K  sanyo
2sa1391 2sc3382.pdfpdf_icon

2SA1390

Ordering number:EN1942APNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1391/2SC3382Low Noise AF Amp ApplicationsFeatures Package Dimensions Adoption of FBET process.unit:mm AF amp.2003A Low-noise use.[2SA1391/2SC3382]Noise Test CircuitJEDEC : TO-92 B : Base( ) : 2SA1391EIAJ : SC-43 C : CollectorSANYO : NP E : EmitterSpecificationsAbsolute Maximum Rating

 8.2. Size:173K  sanyo
2sa1392 2sc3383.pdfpdf_icon

2SA1390

Ordering number:EN1943APNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1392/2SC3383AF Amp ApplicationsFeatures Package Dimensions Adoption of FBET process.unit:mm AF amp.2003A[2SA1392/2SC3383]JEDEC : TO-92 B : Base( ) : 2SA1392EIAJ : SC-43 C : CollectorSANYO : NF E : EmitterSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Conditions Ratin

 8.3. Size:133K  nec
2sa1395.pdfpdf_icon

2SA1390

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SA1395PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR HIGH-SPEED SWITCHINGThe 2SA1395 is a mold power transistor developed for high- PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)speed switching, and is ideal for use as a driver in devices such asswitching regulators, DC/DC converters, and high-frequency poweramplifiers.FEATURES Mold package that does not req

Другие транзисторы... 2SA1386P , 2SA1386Y , 2SA1387 , 2SA1388 , 2SA1388O , 2SA1388Y , 2SA1389 , 2SA139 , TIP42 , 2SA1391 , 2SA1391R , 2SA1391S , 2SA1391T , 2SA1391U , 2SA1392 , 2SA1392R , 2SA1392S .

History: MD6003F | 2SD1879 | BFR53

 

 
Back to Top

 


 
.