2SA1390 - описание и поиск аналогов

 

2SA1390. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1390

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SPAK

 Аналоги (замена) для 2SA1390

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1390 даташит

 ..1. Size:23K  hitachi
2sa1390.pdfpdf_icon

2SA1390

2SA1390 Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency amplifier Outline SPAK 1. Emitter 1 2 2. Collector 3 3. Base 2SA1390 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 35 V Collector to emitter voltage VCEO 35 V Emitter to base voltage VEBO 4 V Collector current IC 500 mA Collector power dissipation PC 300 mW Ju

 8.1. Size:236K  sanyo
2sa1391 2sc3382.pdfpdf_icon

2SA1390

Ordering number EN1942A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1391/2SC3382 Low Noise AF Amp Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET process. unit mm AF amp. 2003A Low-noise use. [2SA1391/2SC3382] Noise Test Circuit JEDEC TO-92 B Base ( ) 2SA1391 EIAJ SC-43 C Collector SANYO NP E Emitter Specifications Absolute Maximum Rating

 8.2. Size:173K  sanyo
2sa1392 2sc3383.pdfpdf_icon

2SA1390

Ordering number EN1943A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1392/2SC3383 AF Amp Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET process. unit mm AF amp. 2003A [2SA1392/2SC3383] JEDEC TO-92 B Base ( ) 2SA1392 EIAJ SC-43 C Collector SANYO NF E Emitter Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditions Ratin

 8.3. Size:133K  nec
2sa1395.pdfpdf_icon

2SA1390

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SA1395 PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SA1395 is a mold power transistor developed for high- PACKAGE DRAWING (UNIT mm) speed switching, and is ideal for use as a driver in devices such as switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power amplifiers. FEATURES Mold package that does not req

Другие транзисторы: 2SA1386P, 2SA1386Y, 2SA1387, 2SA1388, 2SA1388O, 2SA1388Y, 2SA1389, 2SA139, TIP35C, 2SA1391, 2SA1391R, 2SA1391S, 2SA1391T, 2SA1391U, 2SA1392, 2SA1392R, 2SA1392S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.