Биполярный транзистор 2SA1417T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1417T
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT89
2SA1417T Datasheet (PDF)
2sa1417s 2sa1417t 2sc3647s 2sc3647t.pdf
Ordering number : EN2006D2SA1417/2SC3647Bipolar Transistorhttp://onsemi.com(-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCPFeatures Adoption of FBET, MBIT processes High breakdown voltage and large current capacity Fast switching speed Ultrasmall size making it easy to provide high-density small-sized hybrid ICsSpecifications ( ) : 2SA1417Absolute Maximum Rati
2sa1417 2sc3647.pdf
Ordering number : EN2006C2SA1417 / 2SC3647SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsHigh-Voltage Switching2SA1417 / 2SC3647ApplicationsFeatures Adoption of FBET, MBIT processes. High breakdown voltage and large current capacity. Ultrasmall size making it easy to provide high-density small-sized hybrid ICs.Specifications ( ) : 2S
2sa1417 2sc3647.pdf
DATA SHEETwww.onsemi.comBipolar Transistor12(-)100 V, (-)2 A, Low VCE(sat),3SOT-89-3(PNP) NPN Single PCPCASE 419AU2SA1417, 2SC3647ELECTRICAL CONNECTIONFeatures2 2 Adoption of FBET, MBIT Processes1 : Base High Breakdown Voltage and Large Current Capacity1 1 2 : Collector Ultrasmall Size Making it Easy to Provide High-density Small-sized3 : Emitter
2sa1417.pdf
SMD Type TransistorsPNP Transistors 2SA14171.70 0.1FeaturesAdoption of FBET, MBIT ProcessesHigh Breakdown Voltage and Large Current Capacity Complementary to 2SC36470.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -120 Collector - Emitter Voltage VCEO -100 V Emitter -
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050