Биполярный транзистор 2SA1419T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1419T
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT89
2SA1419T Datasheet (PDF)
2sa1419s 2sa1419s-td-h 2sa1419t 2sa1419t-td-h 2sc3649s 2sc3649s-td-h 2sc3649t 2sc3649t-td-h.pdf
Ordering number : EN2007C2SA1419/2SC3649Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )160V, 1.5A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCPFeatures Adoption of FBET, MBIT processes High breakdown voltage and large current capacity Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICsSpecifications ( ) : 2SA1419Absolute Maximum Ratings at
2sa1419 2sc3649.pdf
Ordering number : EN2007B2SA1419 / 2SC3649SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1419 / 2SC3649High-Voltage Switching ApplicationsFeatures Adoption of FBET, MBIT processes. High breakdown voltage and large current capacity. Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICs.Specifications ( ) :
2sa1419 2sc3649.pdf
Ordering number : EN2007C2SA1419/2SC3649Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )160V, 1.5A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCPFeatures Adoption of FBET, MBIT processes High breakdown voltage and large current capacity Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICsSpecifications ( ) : 2SA1419Absolute Maximum Ratings at
2sa1419.pdf
SMD Type TransistorsPNP Transistors 2SA14191.70 0.1FeaturesAdoption of FBET, MBIT ProcessesHigh Breakdown Voltage and Large Current Capacity Complementary to 2SC36490.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -180 Collector - Emitter Voltage VCEO -160 V Emitter -
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050