2SA1431Y - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2SA1431Y Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2SA1431Y
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 62 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: TOSH2

Аналог (замена) для 2SA1431Y

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SA1431Y Datasheet (PDF)

7.1. Size:181K toshiba
2sa1431.pdf pdf_icon

8.1. Size:261K toshiba
2sa1432.pdf pdf_icon

8.2. Size:181K toshiba
2sa1430.pdf pdf_icon

8.3. Size:132K sanyo
2sa1438.pdf pdf_icon

8.4. Size:29K sanyo
2sa1435.pdf pdf_icon

Ordering number:ENN1856APNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA1435High hFE, AF Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions Low frequency general-purpose amplifiers, drivers,unit:mmmuting circuits.2003B[2SA1435]Features 5.04.04.0 Adoption of MBIT process. High DC current gain (hFE=500 to 1200). Large current capacity. Low colletor-to-e

8.5. Size:75K sanyo
2sa1434.pdf pdf_icon

Ordering number:EN1853APNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA1434High hFE, Low-FrequencyGeneral-Purpose Amp ApplicationsApplications Package Dimensions Low frequency general-purpose amplifiers, drivers,unit:mmmuting circuits.2018A[2SA1434]Features Very small-sized package permitting 2SA1434-usedsets to be made smaller, slimer. Adoption of FBET process.

8.6. Size:77K sanyo
2sa1437.pdf pdf_icon

Ordering number:EN2524APNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA1437High-hFE, AF Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions AF amplifier, various drivers, muting circuit.unit:mm2003AFeatures[2SA1437] Very small-sized package permitting sets to be madesmaller and slimer. Adoption of FBET process. High DC current gain : (hFE=400 to 1000). Hig

8.7. Size:78K sanyo
2sa1433.pdf pdf_icon

Ordering number:EN3471PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA1433High-Definition CRT Display ApplicationsFeatures Package Dimensions High fT (Gain-Bandwidth Product).unit:mm Small reverse transfer capacitance (Cre=1.3pF).2006A Adoption of FBET process.[2SA1433]EIAJ : SC-51 B : BaseSANYO : MP C :CollectorE : EmitterSpecificationsAbsolute Maximum Ratings

8.8. Size:29K sanyo
2sa1436.pdf pdf_icon

Ordering number:ENN2456PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA1436High hFE, AF Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions AF amplifier, various drivers, muting circuit.unit:mm2003BFeatures[2SA1436] Adoption of MBIT process.5.04.04.0 High DC current gain (hFE=500 to 1200). Large current capacity. Low collector-to-emitter saturation vol

8.9. Size:732K kexin
2sa1434.pdf pdf_icon

SMD Type orSMD Type TransistICsPNP Transistors 2SA1434SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesAdoption of FBET process.High DC current gain (hFE=500 to 1200).1 2Low collector-to-emitter saturation voltage+0.1+0.050.95-0.1 0.1 -0.01(VCE(sat) 0.5V).1.9+0.1-0.1High VEBO (VEBO 15V).1.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25

Другие транзисторы... 2SA142A , 2SA143 , 2SA1430 , 2SA1430A , 2SA1430B , 2SA1430C , 2SA1431 , 2SA1431O , A1013 , 2SA1432 , 2SA1432O , 2SA1432R , 2SA1433 , 2SA1434 , 2SA1435 , 2SA1436 , 2SA1437 .