2SA1492P - описание и поиск аналогов

 

2SA1492P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1492P

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для 2SA1492P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1492P даташит

 ..1. Size:428K  cn sptech
2sa1492o 2sa1492p 2sa1492y.pdfpdf_icon

2SA1492P

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SA1492 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -180V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SC3856 APPLICATIONS For audio and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -180 V CBO V Collector-Emit

 7.1. Size:182K  jmnic
2sa1492.pdfpdf_icon

2SA1492P

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1492 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SC3856 APPLICATIONS Audio and general purpose PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

 7.2. Size:28K  sanken-ele
2sa1492.pdfpdf_icon

2SA1492P

2SA1492 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3856) Application Audio and General Purpose External Dimensions MT-100(TO3P) Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Electrical Characteristics (Ta=25 C) Symbol Ratings Unit Symbol Conditions Ratings Unit 0.2 4.8 0.4 15.6 0.1 9.6 2.0 VCBO 180 V ICBO VCB= 180V 100max A VCEO 180 V IEBO VEB= 6

 7.3. Size:1286K  cn sps
2sa1492t4bl.pdfpdf_icon

2SA1492P

2SA1492T4BL Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -180V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SC3856 APPLICATIONS For audio and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -180 V CBO V Collector-Emitter Voltage -180 V CEO V Emitt

Другие транзисторы: 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1489, 2SA149, 2SA1490, 2SA1491, 2SA1492, 2SA1492O, C3198, 2SA1492Y, 2SA1493, 2SA1493O, 2SA1493P, 2SA1493Y, 2SA1494, 2SA1494G, 2SA1494P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.