Биполярный транзистор 2N1370 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1370
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
Корпус транзистора: TO5
2N1370 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N1361A , 2N1362 , 2N1363 , 2N1364 , 2N1365 , 2N1366 , 2N1367 , 2N137 , S9013 , 2N1370BL , 2N1370GN , 2N1370O , 2N1370V , 2N1370Y , 2N1371 , 2N1371BL , 2N1371GN .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050