2N1370GN - описание и поиск аналогов

 

2N1370GN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1370GN

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N1370GN

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1370GN даташит

 9.1. Size:247K  general electric
2n135 2n136 2n137.pdfpdf_icon

2N1370GN

Другие транзисторы: 2N1363, 2N1364, 2N1365, 2N1366, 2N1367, 2N137, 2N1370, 2N1370BL, NJW0281G, 2N1370O, 2N1370V, 2N1370Y, 2N1371, 2N1371BL, 2N1371GN, 2N1371O, 2N1371V

 

 

 

 

↑ Back to Top
.