Биполярный транзистор 2N1370O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N1370O
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO5

Другие транзисторы... 2N1364 , 2N1365 , 2N1366 , 2N1367 , 2N137 , 2N1370 , 2N1370BL , 2N1370GN , NJW0281G , 2N1370V , 2N1370Y , 2N1371 , 2N1371BL , 2N1371GN , 2N1371O , 2N1371V , 2N1371Y .