2SA1666 - описание и поиск аналогов

 

2SA1666. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1666

Маркировка: YI-

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SA1666

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1666 даташит

 0.1. Size:618K  semtech
st2sa1666u.pdfpdf_icon

2SA1666

ST 2SA1666U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high current application Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 50 V Collector Emitter Voltage -VCEO 50 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current -IC 2 A Base Current -IB 0.4 A 0.5 Total Power Dissipation Ptot W 1 1) Junction Temperature Tj 150 Stora

 8.1. Size:129K  sanyo
2sa1669.pdfpdf_icon

2SA1666

Ordering number EN2972 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1669 High-Frequency Amplifier Applications Features Package Dimensions High cutoff frequnecy fT=3.0GHz typ. unit mm High power gain MAG=11dB typ (f=0.9GHz) 2018A Small noise figure NF=2.0dB typ (f=0.9GHz) [2SA1669] C Collector B Base E Emitter SANYO CP Specifications Absolute Maximum Rati

 8.2. Size:548K  jiangsu
2sa1662.pdfpdf_icon

2SA1666

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L 2SA1662 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES Complementary to KTC4374 2. COLLECTOR 1 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER 3 Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -80 V VCEO Collector-Emitter Voltage -80 V VEBO Emitter-Ba

 8.3. Size:1499K  jiangsu
2sa1661.pdfpdf_icon

2SA1666

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L 2SA1661 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Small Flat Package High Current Application 3. EMITTER High Voltage High Transition Frequency MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -120 V

Другие транзисторы: 2SA1658, 2SA1659, 2SA166, 2SA1660, 2SA1661, 2SA1662, 2SA1663, 2SA1664, BC548, 2SA1667, 2SA1668, 2SA1669, 2SA167, 2SA1670, 2SA1671, 2SA1672, 2SA1673

 

 

 

 

↑ Back to Top
.