Биполярный транзистор 2SA168A Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SA168A
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.175 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO5
Аналог (замена) для 2SA168A
2SA168A Datasheet (PDF)
2sa1681.pdf

2SA1681 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1681 Power Amplifier Applications Unit: mm Power Switching Applications Low saturation voltage: VCE (sat) = -0.5 V (max) (IC = -1 A) High speed switching time: t = 300 ns (typ.) stg Small flat package PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on ceramic substrate) Complementary to 2SC4409 Maxi
2sa1680.pdf

2SA1680 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) 2SA1680 Power Amplifier Applications Unit: mmPower Switching Applications Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = -0.5 V (max) (IC = -1 A) High collector power dissipation: PC = 900 mW (Ta = 25 C) High-speed switching: tstg = 300 ns (typ.) Complementary to 2SC4408. Absolute
2sa1685 2sc4443.pdf

Ordering number:EN3200PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1685/2SC4443High-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Fast switching speed.unit:mm High gain-bandwidth product.2059 Low saturation voltage.[2SA1685/2SC4443]B : BaseC : CollectorE : Emitter( ) : 2SA1685SANYO : MCPSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25C
2sa1682.pdf

Ordering number:EN3011PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA1682TV Camera Deflection,High-Voltage Driver ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage (VCEO 300V).unit:mm Small reverse transfer capacitance and excellent high2018Afrequency chacateristic (Cre : 1.5pF typ).[2SA1682] Excellent DC current gain ratio (hFE ratio : 1.0 typ).
Другие транзисторы... 2SA1683 , 2SA1685 , 2SA1687 , 2SA1688 , 2SA1688-3 , 2SA1688-4 , 2SA1688-5 , 2SA1689 , 2SA1837 , 2SA169 , 2SA1690 , 2SA1692 , 2SA1693 , 2SA1693O , 2SA1693P , 2SA1693Y , 2SA1694 .
History: DTA143XE | NPS4257 | DTA114YN3 | 2SB1233 | 2N3496 | 2SA1226
History: DTA143XE | NPS4257 | DTA114YN3 | 2SB1233 | 2N3496 | 2SA1226



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors