Биполярный транзистор 2N1382GN - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1382GN
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
Корпус транзистора: TO5
Другие транзисторы... 2N1378 , 2N1379 , 2N138 , 2N1380 , 2N1381 , 2N1382 , 2N1382BL , 2N1382BN , KT805AM , 2N1382O , 2N1382R , 2N1382V , 2N1382Y , 2N1383 , 2N1383BL , 2N1383BN , 2N1383GN .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050