2N1382GN. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N1382GN
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75
Корпус транзистора: TO5
Аналоги (замена) для 2N1382GN
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N1382GN даташит
Другие транзисторы: 2N1378, 2N1379, 2N138, 2N1380, 2N1381, 2N1382, 2N1382BL, 2N1382BN, A42, 2N1382O, 2N1382R, 2N1382V, 2N1382Y, 2N1383, 2N1383BL, 2N1383BN, 2N1383GN
History: KT315Zh1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor