Биполярный транзистор 2SA1805R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1805R
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 480 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора: ISO247
2SA1805R Datasheet (PDF)
2sa1805.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1805 DESCRIPTION With TO-3PFM package Complement to type 2SC4690 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 70W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING (see Fig.2 ) PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3PFM) and symbol 3 EmitterAbsolute
2sa1805.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1805 DESCRIPTION With TO-3PML package Complement to type 2SC4690 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 70W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol 3 EmitterAbsol
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: 2SA1037-Q | NSBC114YPDXV6T5G | KST5551 | 2SA100
History: 2SA1037-Q | NSBC114YPDXV6T5G | KST5551 | 2SA100
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050